Výrobca Číslo produktu:
TSM126CX RFG
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM126CX RFG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30mA (Tc) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Inventár:
12895796
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM126CX RFG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
0V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
800Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 8µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.18 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
51.42 pF @ 25 V
Funkcia FET
Depletion Mode
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
TSM126
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TSM126CX RFGCT
TSM126CX RFGDKR-DG
TSM126CX RFGTR-DG
TSM126CXRFGCT
TSM126CX RFGCT-DG
TSM126CX RFGDKR
TSM126CXRFGTR
TSM126CX RFGTR
TSM126CXRFGDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSS126H6327XTSA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
123266
ČÍSLO DIELU
BSS126H6327XTSA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM160P04LCRHRLG
MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
DMT3020LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
TSM2NB65CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO252
